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本类成果项目共 3680 项, 本页显示第 1 至第 20 项
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蓝宝石衬底减薄方法
第三代半导体材料GaN具有宽禁带等特点,通过掺杂可以获得波长较短的蓝、绿光和紫外光,利用蓝光激发荧光粉可以发出白光,为LED代替目前的白炽灯...
高真空CVD低温外延技术及其应用
为了克服普通常压高温(>1000℃)CVD外延技术基底杂质外扩散、自掺杂严重,不能生长亚微米、纳米薄层材料的缺点。我们于国内首先提出超高真空...
用于有机电致发光镀膜机的坩锅式蒸发源
该坩锅式蒸发源由支座、热电偶测温系统、加热体炉子及坩锅组成。炉子由上、下两个95#陶瓷圆环片、金属钼炉丝、位于上下两个陶瓷圆环片间的筒状石英...
混合激发场致发光器件
该发明涉及一种可同时产生两种或三种发光机制混合激发的场致发光的平板显示器件。平板显示是显示器发展的必由之路。在发光平板显示技术中有五种发光现...
氮化镓半导体中扩展缺陷的电子性质研究
该项目研究采用分子动力学方法通过计算模拟获得了六角GaN薄膜中扩展缺陷的准确原子构型。通过第一原理密度泛函计算研究了氮化镓及其相关Ⅲ~Ⅴ族化...
T4KB系列塑封硅桥式整流器
该硅桥式整流器采用玻璃钝化(电泳法)芯片制造工艺,将玻璃粉致密均匀地沉积在PN结的表面,再经过高温使它形成微晶状态,起到对PN结表面的保护作...
在硅衬底外延生长GaN材料
Si衬底上生长GaN将主要采用低温AlW作缓冲层,用横向生长技术,AlGaN/GaN超晶格,多次成核的方法来减小GaN层应力和缺陷,发来新的...
ZnO薄膜的MOCVD生长研究
该项目为“ZnO薄膜的MOCVD生长研究”,ZnO是具有光电、压电特性的宽直接带隙的半导体材料。它可以用于超声换能器、偏转器、频谱分析器高速...
空间高光谱干涉技术
该项目的研究目标是:进行空间高光谱干涉技术研究和技术攻关,为星空上大气垂直探测解决关键技术。其主要研究内容与解决的关键技术为:高精度动镜驱动...
紫外焦平面器件研究
主要开展GaN基紫外探测器有关的材料制备,芯片工艺、器件物理、封装和测试以及可靠性等方面的研究工作。采用GaN基紫外探测芯片与读出电路混成的...
固态源光硒化或硫化反应系统的研制
固态源光硒化或硫化反应系统是研究化合物半导体铜铟硒薄膜电池吸收层的重要装置,具有内外加热控温系统,分子泵排气系统,固态硒源气化合成室和内外部...
ZnO肖特基二极管
ZnO肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ZnO晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。该ZnO肖特基二极管,由于欧姆接触...
金/铁系元素复合膜上制备碳纳米管
该成果首先在Si或SiO<,2>衬底上溅射铁或钴或镍层,再溅射金层,制备出复合膜的催化剂;再将衬底置于热丝CVD设备中,以氢气和甲烷为反应气...
多片立式旋转液相外延石墨舟
该成果属于半导体光电子设备技术领域,涉及一种对多片立式半导体液相外延石墨舟的改进。多片衬底托架在不同的液相外延阶段任意启动,匀速、变速和停止...
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